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GE RPS/DPS 8000传感器
2021-10-29 08:36  501次点击

RPS/DPS 8000高精度谐振式压力传感器

RPS-8000-Sensor

利用新RPS/DPS 8000传感器提高压力测量精度

这种新RPS/DPS 8000谐振式硅压力传感器是**款融合了GE TERPS技术平台的压力传感器。 与现有技术相比,TERPS(沟槽刻蚀谐振式压力传感器)可提供更高的性能等级,是具有*高的精度和稳定性的传感器。这种传感器还可大幅提高谐振压力技术(RPT)传感器通常具有的压力范围,并且具有极为坚固的包装,适用于恶劣的环境。

此外, RPS/DPS 8000产品线提供了各种压力和电气接头,这样就可以灵活地进行定制,广泛用于从航空航天到海底工程以及过程工程到工业仪器等领域。

利用全新的TERPS技术进行设计

• 高精度,±0.01% FS(在补偿温度范围内)

•高度稳定,±100 ppm FS/年

• 压力范围从2 bar(30 psi)至 70 bar(1000 psi),绝对压力

•温度范围大, -40 °C 至+85 °C(-40 °F至185 °F)

• 采用介质隔离结构,适用于恶劣环境

• 多输出配置,TTL和二极管,RS-232和RS-485

•压力和电气接头选择范围大,可满足具体的要求

*高的精度和稳定性

用硅改善性能:

Example_Si_machining__possible_with__DRIE
利用DRiE工艺进行硅加工的示例
Wafer_in_DRIE_Process
DRiE工艺水
  • 我们在制造TERPS谐振器元件时充分利用了硅的力学性能。
  • 为了优化和平衡谐振器的设计,我们采用了深度反应离子刻蚀(DRIE)硅技工技术。 DRIE可以设计具有复杂和多变几何形状的结构。
  • 精度为0.01% FS(100 ppm)
  • 稳定性为0.01% FS/年(100 ppm)

 













压力和温度范围大

硅熔融黏结工艺:  

  • TERPS仅根据硅的力学性能进行设计,可以用于 -40 至to 85 °C(-40至185 °F)的温度范围。
  • 这种设计还可以通过硅熔融黏结(SFB)工艺在谐振器上黏结不同厚度的硅,以便于用于高达70 bar(1000 psi)的压力范围。

 

Cross-section_of_TERPS_sensor_element

top_water

TERPS 传感器元件横截面 
SFB硅层横截面

 

坚固和可靠的包装

深度反应离子刻蚀(DRIE)可以设计具有复杂和多变几何形状的结构,并且可以使谐振器位于水平面上。 谐振器必须具有足够的刚度,以将能量损失降至*低,并采用油浸绝缘结构。

全焊TERPS模块可以使顶级设计工程师利用标准材料包装传感器。 这种产品封装在316L不锈钢模块中,起调节作用的电子设备位于25mm的主体管中。它提供一系列压力和电气接头。

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特色
 

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公司:GE通用电气专营
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